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MMH0026C 发布时间 时间:2025/9/3 15:16:53 查看 阅读:6

MMH0026C 是一款高频、高性能的射频(RF)晶体管,通常用于射频功率放大器、射频开关、射频混频器等高频电路中。这款晶体管通常基于硅(Si)或砷化镓(GaAs)技术制造,具有优异的线性度、低噪声系数和高增益特性,适合用于通信系统、雷达、测试仪器和射频模块等领域。

参数

类型:射频晶体管
  材料:硅(Si)或砷化镓(GaAs)
  最大工作频率:26 GHz(典型值)
  最大集电极电流:10 mA(典型值)
  最大功耗:100 mW
  增益:15 dB(典型值)
  噪声系数:1.5 dB(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-89、SOT-23 或其他表面贴装封装

特性

MMH0026C 射频晶体管具有多个关键特性,使其在高频应用中表现出色。首先,它具有高工作频率,能够支持高达26 GHz的信号处理,适用于微波和毫米波通信系统。其次,该晶体管具备良好的线性度,在射频放大器中可减少信号失真,提高信号质量。此外,它的噪声系数较低,确保在低噪声放大器(LNA)应用中保持高灵敏度。晶体管的增益性能优异,典型值可达15 dB,有助于提升系统整体性能。MMH0026C 还具有良好的稳定性和可靠性,在极端温度条件下仍能正常工作,适用于工业和军事级应用场景。封装形式多样,便于集成到不同类型的射频电路板中。

应用

MMH0026C 常用于射频通信系统、卫星通信、无线局域网(WLAN)、微波雷达、测试与测量设备、射频传感器以及射频前端模块等。由于其高频特性和低噪声表现,它特别适用于需要高精度和高稳定性的应用,如5G基站、微波链路、射频识别(RFID)系统和宽带通信设备。

替代型号

HMC474MS8C、BFP420、BFU520、NE3210S01、AT-41411

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