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LBAT54TWT5G 发布时间 时间:2025/8/13 21:46:15 查看 阅读:20

LBAT54TWT5G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双通用开关二极管阵列,适用于各种通用电子电路应用。该器件采用 6-TDFN 封装,具有低电容和快速开关特性,特别适合用于数字信号控制、电平转换和逻辑隔离等场景。LBAT54TWT5G 是一款引脚兼容、易于集成的表面贴装器件,具有较高的可靠性和稳定性。

参数

类型:开关二极管阵列
  配置:双二极管
  最大正向电流(IF):100 mA
  最大反向电压(VR):80 V
  最大正向压降(VF):1.25 V @ 100 mA
  最大反向漏电流(IR):100 nA @ 80 V
  电容(@ 0V,1MHz):10 pF
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装:6-TDFN
  安装类型:表面贴装

特性

LBAT54TWT5G 具有以下主要特性:
  1. **低电容设计**:在 0V 偏置和 1MHz 条件下,电容值为 10 pF,这使得该器件非常适合高频应用,例如射频信号切换和高速数字电路。
  2. **快速开关特性**:由于其内部结构和低电容,LBAT54TWT5G 能够实现快速的开关响应,适用于需要快速信号处理的场景。
  3. **双二极管配置**:该器件内部包含两个独立的开关二极管,可以用于多个电路功能,如信号隔离、电平转换或反向电压保护。
  4. **高可靠性**:ON Semiconductor 的 LBAT54TWT5G 在制造过程中采用了高质量的材料和工艺,确保了其在各种环境条件下的稳定性和耐用性。
  5. **宽工作温度范围**:支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围,适用于工业级和汽车电子应用。
  6. **小尺寸封装**:采用 6-TDFN 封装,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。

应用

LBAT54TWT5G 主要应用于以下领域:
  1. **数字电路中的电平转换和隔离**:由于其双二极管结构和快速开关特性,LBAT54TWT5G 可用于不同电压域之间的信号隔离和电平转换。
  2. **电源管理和保护电路**:在电源管理系统中,它可以用作反向电流保护或作为负载切换的开关元件。
  3. **射频(RF)信号切换**:由于其低电容特性,该器件非常适合用于射频电路中的信号路由和切换。
  4. **工业控制和自动化设备**:在工业控制系统中,LBAT54TWT5G 可用于逻辑信号的隔离和控制。
  5. **消费类电子产品**:如智能手机、平板电脑和其他便携设备中,用于信号管理和电源控制。
  6. **汽车电子应用**:由于其宽工作温度范围和高可靠性,该器件可用于汽车中的信号处理和电源管理电路。

替代型号

BAT54T, 1N4148W, BAV99, MMBD914

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