最大重复峰值反向电压：30V
　　最大平均整流电流：300mA
　　峰值浪涌电流：1A
　　最大反向漏电流：100nA
　　正向压降：1.1V（最大值，@300mA）
　　反向恢复时间：4ns（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23

LBAT54L1T1G 的核心特性在于其高速开关能力和低功耗设计。其反向恢复时间仅为4ns，这使得该器件非常适合用于高频开关应用，如高速数据线路的保护、信号切换以及逻辑门电路中的应用。
　　此外，该二极管具有较低的正向压降（最大为1.1V），在300mA的工作电流下能够有效减少功耗，提高系统效率。
　　器件的反向漏电流极低（最大为100nA），在高温环境下仍能保持良好的稳定性，从而确保电路的长期可靠性。
　　由于其SOT-23的小型封装，LBAT54L1T1G 可广泛应用于空间受限的设计中，如便携式电子设备、通信模块和消费类电子产品。
　　该器件还具有良好的热稳定性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车级应用环境。

LBAT54L1T1G 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：通信设备中的信号切换和保护电路、数字电路中的逻辑门和电平转换器、电源管理系统中的整流和隔离电路、以及各种需要高速开关特性的电子系统。
　　其低电容和高速恢复特性使其成为USB、HDMI、LVDS等高速数据接口的首选保护器件。
　　此外，LBAT54L1T1G 还可用于音频放大器、LED驱动电路、电池管理系统以及汽车电子控制单元（ECU）中。
　　在工业自动化和仪器仪表中，它也常用于继电器驱动、传感器信号调理和电源转换电路。

BAT54L, BAS54L