时间：2025/9/11 5:38:45
阅读：21
CGH40035F/P是一款由Wolfspeed（原Cree）制造的高功率射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专门用于高频和高功率应用。这款晶体管基于氮化镓（GaN）技术，具有出色的性能和效率，广泛应用于通信系统、工业设备和射频功率放大器等领域。
工作频率范围：20 MHz至4 GHz
最大漏极电流（ID）：15 A
最大漏-源电压（VDS）：65 V
输出功率（典型值）：35 W
增益（典型值）：20 dB
工作温度范围：-65°C至+150°C
封装类型：陶瓷金属封装（Flanged Ceramic Package）
CGH40035F/P具有多个突出的性能特点。首先，其宽频带设计使其适用于多种射频应用，并能够在20 MHz到4 GHz的范围内高效工作。其次，基于GaN技术，该晶体管提供了高输出功率、高增益和高效的射频放大性能，确保信号传输的稳定性和可靠性。
此外，CGH40035F/P具备较高的热稳定性和耐用性，能够承受较高的工作温度并保持良好的运行状态，从而延长设备的使用寿命。该器件的陶瓷金属封装不仅提供了优异的散热性能，还增强了机械稳定性和抗环境干扰能力。
在效率方面，该晶体管支持高效率的功率放大，降低了功耗和散热需求，非常适合需要长时间连续运行的高功率系统。同时，其高线性度特性使其在多载波和宽带通信系统中表现出色，满足现代通信对信号质量和数据传输速率的要求。
CGH40035F/P常用于射频功率放大器的设计，特别是在无线通信基础设施中，如基站、Wi-Fi接入点和广播系统。此外，它还适用于工业设备、医疗成像仪器、测试与测量设备以及军用通信系统等要求高功率和高频率性能的领域。
CGH40025F, CGH40045F
