LBAT54C 时间：2025/8/13 8:42:55 阅读：4

LBAT54C是一种常用的双通道双极性晶体管（BJT）阵列器件，由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产。该器件内含两个独立的NPN晶体管，采用共发射极配置，适用于高速开关和放大应用。LBAT54C广泛用于数字逻辑电路、接口电路、信号处理以及工业控制设备中。

参数

类型：NPN晶体管阵列
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管数量：2
　　集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益（hFE）：110至800（根据电流和型号后缀不同）
　　频率响应：250MHz（典型值）

特性

LBAT54C具有紧凑的封装设计和优异的电气性能，适合在空间受限的电路设计中使用。该器件的每个晶体管都具有高增益和快速响应能力，使其适用于高频开关和信号放大。晶体管之间的电气特性匹配良好，减少了在需要平衡电路设计时的调整工作。此外，LBAT54C的封装符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，具有良好的热稳定性和可靠性。由于其广泛的电气参数容限和稳定性，该器件在消费类电子、工业自动化和通信设备中得到了广泛应用。

应用

LBAT54C主要用于需要高速晶体管开关或信号放大的电路中。典型应用包括逻辑电平转换、继电器或LED驱动、信号缓冲器、射频前端模块、音频放大器和数字隔离电路。它还常用于工业控制系统中的传感器接口电路和小型电机驱动电路。在消费类电子产品中，如电视、音响系统和智能家居设备中，LBAT54C也广泛用于电源管理和信号处理。