类型：肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大正向电流（IF）：100mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　正向压降（VF）：0.375V（典型值，IF=100mA）
　　反向漏电流（IR）：100nA（最大值，VR=30V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装类型：SOD-523

LBAT46JT1G 肖特基二极管具有多个显著的技术特性，使其适用于广泛的电子应用。首先，其低正向压降（VF）在IF=100mA时典型值仅为0.375V，这有助于减少功耗并提高能效，特别适用于低电压系统。其次，该器件的快速开关特性使其在高频应用中表现出色，适用于信号整流、电压钳位和隔离电路等场合。
　　此外，LBAT46JT1G 采用SOD-523小型封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，特别适合便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保其在极端环境下的稳定性和可靠性。
　　另一个关键特性是其较高的反向阻断能力，最大重复峰值反向电压为30V，能够有效应对瞬态电压波动。同时，其反向漏电流在最大反向电压下控制在100nA以内，保证了在高温条件下的稳定性能。
　　由于其表面贴装封装（SMD）设计，LBAT46JT1G 支持自动化贴片工艺，提高了生产效率并降低了制造成本。同时，ON Semiconductor 产品的高良率和长期供货保障也使其成为工业级和消费类电子产品设计中的首选元件。

LBAT46JT1G 广泛应用于多个电子系统和模块中。由于其低正向压降和快速开关特性，该器件常用于电源管理系统，例如电池供电设备中的电压整流和逆向电流保护。在便携式电子产品中，它可用于USB电源管理、电池充电电路以及DC-DC转换器中的续流二极管。
　　此外，该器件适用于信号整流和隔离电路，在通信设备、音频放大器和传感器接口中发挥重要作用。在无线充电系统和低功耗物联网设备中，LBAT46JT1G 有助于提升整体能效并延长电池寿命。
　　在工业控制领域，该肖特基二极管可用于PLC模块、工业传感器和自动控制系统中的电源整流和保护电路。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、仪表盘电源管理和车身控制模块。

1N5817, BAT54, BAS40-04, RB520S-30, 1N5819, MBR0520