晶体管类型：双极型晶体管（达林顿对管）
　　集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　电流增益（hFE）：最高可达6000
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23-6

LBAS70BST5G 具备多个优异的电气特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其采用了达林顿结构，两个晶体管串联配置，从而实现了极高的电流放大倍数（hFE），典型值可达数千，适用于需要高增益的信号放大或驱动电路。
　　其次，该器件的集电极-发射极最大耐压为100V，能够在较高电压环境下稳定工作，适用于各种中高压控制电路。每个晶体管的最大集电极电流为100mA，虽然单个晶体管的电流能力有限，但由于其高增益特性，可有效驱动后续功率晶体管或继电器等负载。
　　此外，LBAS70BST5G 的饱和压降较低，在导通状态下能够减少功率损耗，提高整体效率，这对于电池供电设备或节能型系统尤为重要。其SOT-23-6封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热稳定性，适合自动化生产和高密度PCB设计。
　　该器件的引脚排列设计合理，便于在电路中使用，同时具备较强的抗干扰能力，适用于工业控制、汽车电子、消费类电子等多种领域。

LBAS70BST5G 常用于需要高电流增益和中等功率驱动的电路中，典型应用包括继电器和LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、传感器接口、电源开关控制等。在工业自动化系统中，它可用于驱动小型继电器或固态继电器（SSR），实现PLC输出控制。在消费类电子产品中，如智能家电、LED照明系统，该芯片可作为开关或缓冲级使用。此外，它也适用于汽车电子中的小型电机控制或灯光调节系统。

ULN2003A, TIP120, MBT3946B, BCX556B