类型：肖特基二极管
　　配置：双二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（Io）：100mA
　　正向压降（VF）：最大0.45V @ 10mA
　　反向漏电流（IR）：最大100nA @ 25°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236）
　　安装类型：表面贴装

LBAS70-04LT1G肖特基二极管具备一系列高性能特性。首先，其肖特基势垒结构使其具有较低的正向压降（典型值0.3V，最大0.45V），从而减少了能量损耗并提高了效率。其次，该器件具有快速的反向恢复时间（trr < 2ns），适合用于高频整流和开关应用。此外，LBAS70-04LT1G采用共阴极双二极管结构，允许两个二极管共享一个公共端，简化了电路布局。该器件的反向漏电流在常温下非常低（最大100nA），确保了在高阻断电压下的稳定性。SOT-23封装体积小巧，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片工艺。该二极管具有良好的热稳定性和可靠性，可在恶劣环境中稳定工作。
　　另一个重要特性是其广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于工业级和汽车电子应用。由于其低电容特性（典型值2pF），LBAS70-04LT1G适用于高速信号处理和RF应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，符合现代电子产品对环保的要求。

LBAS70-04LT1G广泛应用于多个电子领域。在数字电路中，它常用于逻辑门电路中的钳位二极管或输入保护电路，防止电压过冲对后续电路造成损害。在模拟电路中，可用于信号整流、检波电路以及小电流整流场合。由于其快速恢复特性和低正向压降，该器件也常用于DC-DC转换器、电池供电设备和便携式电子产品中的节能电路。此外，LBAS70-04LT1G还可用于RF信号路径中的隔离、混频和检测应用。在通信设备中，它可用于信号耦合、电压钳位以及静电放电（ESD）保护。由于其SOT-23封装尺寸小、重量轻，适用于空间受限的高密度PCB设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品。

1N5711, 1N5817, BAS70-04