LBAS516G 时间：2025/8/13 6:50:35 阅读：11

LBAS516G 是一款由 NXP Semiconductors 生产的双极型 NPN 晶体管阵列芯片。该器件内部集成了两个独立的 NPN 晶体管，适用于需要高频率开关和放大功能的电路设计。LBAS516G 采用小型封装（如 SOT457 或 SO-8），适合在空间受限的电子设备中使用，具有良好的热稳定性和电气性能。该器件广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品和汽车电子系统中。

参数

晶体管类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功率耗散（PD）：300 mW
　　频率响应（fT）：250 MHz
　　封装类型：SOT457 / SO-8

特性

LBAS516G 的每个晶体管单元都具有较高的电流增益（hFE），通常在 110 至 800 之间，具体取决于工作电流。这使得它能够有效地用于低噪声放大器和高速开关电路。
　　该器件的工作温度范围较宽，通常为 -55°C 至 +150°C，适合在各种环境条件下使用。内部两个晶体管之间的热耦合良好，有助于在高频率应用中保持稳定性能。
　　LBAS516G 还具有较低的饱和电压（VCE(sat)），在最大电流下通常低于 0.25 V，有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件的高频响应特性使其非常适合用于射频（RF）和数字逻辑电路中的信号处理。
　　由于其小型封装，LBAS516G 在 PCB 布局中占用空间较小，适合高密度电子设计。其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的项目。

应用

LBAS516G 主要用于需要双晶体管配置的电路中，例如驱动继电器、LED 显示器、小型电机和逻辑电平转换电路。
　　它也常用于音频放大器的前置放大级、射频信号放大和开关电路。在工业控制和自动化系统中，LBAS516G 被广泛用于控制执行器和传感器的信号通路。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统中的信号处理和电源管理模块，如车载娱乐系统和仪表盘控制电路。