晶体管类型：PNP
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LBAS40-06LT1G具有优异的电气特性和稳定的性能表现。其SOT-23封装体积小巧，适合高密度PCB布局。该晶体管具备较高的电流增益（hFE），可在不同工作条件下保持良好的放大能力。LBAS40-06LT1G的PNP结构使其在低电压和低功耗应用中表现出色，适用于数字开关和模拟放大电路。此外，该器件的可靠性高，具有良好的热稳定性和长期工作稳定性，适合工业级和消费类电子应用。
　　在电气特性方面，LBAS40-06LT1G的最大集电极电流可达100mA，集电极-发射极电压最大为40V，可满足多种中低功率应用需求。其hFE值在不同电流条件下可达到110至800，提供灵活的设计空间。该晶体管的基极-发射极电压约为0.7V（典型值），确保在标准数字电路中能够可靠导通。LBAS40-06LT1G的功耗较低，最大为300mW，适合电池供电设备和节能型电子产品。

LBAS40-06LT1G广泛应用于各种电子电路中，如数字逻辑电路、电平转换、LED驱动、继电器控制、信号放大和开关电源。在便携式设备中，该晶体管可用于电源管理、传感器信号处理和无线通信模块控制。在工业自动化和控制系统中，LBAS40-06LT1G可用于驱动继电器、小型电机和指示灯。此外，它也适用于消费类电子产品，如智能家电、遥控器和音频放大器电路。

BC807-25, 2N3906, MMBT3906