时间：2025/6/26 20:38:38
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FS31B107M6R3EPG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沯道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的场景。
该型号的后缀“EPG”通常表示其通过了特定的增强型测试或符合汽车级 AEC-Q101 标准，适用于对可靠性要求较高的工业或汽车应用。
型号：FS31B107M6R3EPG
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：3.5mΩ
ID（连续漏极电流）：95A
Qg（总栅极电荷）：42nC
VGS(th)（栅极阈值电压）：2.5V~4.5V
fT（特征频率）：2.5MHz
封装类型：TO-247-3
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力（ID=95A），适合大功率应用场景。
3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg=42nC），适用于高频开关电路。
4. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保在极端环境下的稳定运行。
5. 符合汽车级标准（AEC-Q101），具备更高的可靠性和一致性。
6. 大尺寸 TO-247-3 封装提供良好的散热性能，便于安装与维护。
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. 电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）与电机驱动控制。
3. 工业设备中用于 DC-DC 转换器、逆变器以及负载切换。
4. 高效功率因数校正（PFC）电路。
5. 大功率 LED 照明驱动及负载保护。
6. 各类高性能功率模块和固态继电器的构建。
FDP18N06L, IRFZ44N, STW12NM60, IPP054N06N4_L03
