LBAS21HT1H 时间：2025/8/14 0:52:57 阅读：8

LBAS21HT1H 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于通用放大和开关应用，具有良好的高频响应和稳定的电气性能。LBAS21HT1H通常采用SOT-23封装，适用于各种电子设备和电路中，如音频放大器、逻辑电路和电源管理模块。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA集电极电流下为110至800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

特性

LBAS21HT1H晶体管具有多个显著特性，使其在各种电子应用中表现出色。首先，其高电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，这取决于具体等级，使得该晶体管适用于不同类型的放大电路设计。其次，该器件具有良好的高频性能，最大工作频率（fT）可达100MHz，适合用于射频和高速开关应用。此外，LBAS21HT1H采用SOT-23小型封装，节省空间且易于在PCB上布局。其最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，适用于中低功率的电路设计。此外，该晶体管具有较低的饱和压降，有助于提高电路效率并减少发热。LBAS21HT1H还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用。最后，该晶体管的低成本和广泛可用性也使其成为许多通用电子设计的首选。

应用

LBAS21HT1H晶体管广泛应用于各种电子设备和电路中。在音频放大器中，它可用于前置放大级或驱动级，提供良好的信号放大性能。在数字电路中，LBAS21HT1H常用于逻辑门和开关电路，作为信号控制和驱动元件。此外，该晶体管还可用于电源管理电路，如DC-DC转换器和稳压电路，以实现高效的能量传输和调节。在射频电路中，由于其高频响应能力，LBAS21HT1H可用于射频信号放大和调制解调电路。此外，该晶体管还可用于传感器接口电路，驱动继电器、LED和小型电机等负载。