LBAS20LT1G 时间：2025/8/13 21:00:11 阅读：24

LBAS20LT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款双极型晶体管（NPN型），主要用于高频放大和开关应用。这款晶体管采用了先进的硅外延平面工艺制造，具有优异的高频响应和可靠的性能。LBAS20LT1G 通常用于通信设备、射频（RF）模块、工业控制系统等应用领域。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极电流：100mA
　　最大功耗：300mW
　　过渡频率：250MHz
　　增益带宽积：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LBAS20LT1G 是一款高性能 NPN 双极型晶体管，具备出色的高频性能，适用于射频和高速开关应用。
　　其最大集电极-发射极电压为 30V，最大集电极电流为 100mA，适合中低功率放大和开关电路。
　　该晶体管的过渡频率高达 250MHz，能够满足高频放大器的设计需求。
　　此外，LBAS20LT1G 的电流增益（hFE）范围广泛，从 110 到 800，具体数值取决于工作电流条件，提供了灵活的设计选择。
　　器件采用小型 SOT-23 封装，节省空间并便于 PCB 布局。
　　其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在各种环境条件下都能稳定工作。
　　该器件的功耗为 300mW，适用于电池供电设备和低功耗应用。
　　由于其高频特性，LBAS20LT1G 常用于无线通信、FM 接收器、射频识别（RFID）设备以及测试仪器等应用场景。