LBA127STR 时间：2025/8/6 7:45:15 阅读：14

LBA127STR 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及工业自动化设备等多种场合。LBA127STR 采用紧凑的表面贴装封装（如PowerSO或DFN等），便于在高密度PCB设计中使用，并提供良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为8.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Ptot）：45W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：PowerSO-8或DFN-8（根据具体批次和封装版本）

特性

LBA127STR 的核心优势在于其出色的导通性能和开关特性。其低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的高频开关能力，适用于高频开关电源和同步整流电路。LBA127STR 还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护作用，增强系统的可靠性。该MOSFET采用热增强型封装设计，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温，延长使用寿命。此外，LBA127STR 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提升整体系统的响应速度和能效。这些特性使其成为工业电源、汽车电子、电池管理系统和高性能电源转换设备中的理想选择。

应用

LBA127STR 主要应用于各种功率电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化控制系统等。在汽车电子领域，LBA127STR 可用于车载充电器、车身控制模块、电池管理系统（BMS）和LED照明驱动电路。此外，该器件也适用于高能效服务器电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及储能系统等对功率密度和能效有较高要求的应用场景。由于其良好的热稳定性和高耐压能力，LBA127STR 在高温和高负载环境下依然能够保持稳定的性能表现。