类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：28A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）或TO-220
　　功率耗散（Pd）：100W（典型值）

LB28 MOSFET具备多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的额定漏极电流和漏极-源极电压，使其能够承受较大的负载和瞬态电压波动。
　　LB28还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其封装设计（如TO-263或TO-220）提供了良好的散热性能，确保在高功率负载下仍能保持较低的结温。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。
　　该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和同步整流器。此外，其内部结构优化减少了开关损耗，从而进一步提升了整体系统性能。

LB28广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。其主要应用包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。
　　在DC-DC转换器中，LB28常用于同步整流和高边/低边开关，以提高转换效率并减少发热。在电池管理系统中，该器件可用于控制充放电路径，确保电池组的安全运行。此外，LB28还适用于电机控制电路，作为H桥或PWM控制开关，实现对电机速度和方向的精确控制。
　　由于其高电流能力和良好的热管理性能，LB28也常用于电源适配器、UPS（不间断电源）系统以及车载电子设备中的功率调节模块。

IRF28N60C3, FDPF28N60ES