LB1964T-TLM 时间：2025/9/21 10:56:17 阅读：33

LB1964T-TLM是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高性能、低功耗的CMOS型霍尔效应传感器集成电路，专为高灵敏度和高可靠性应用而设计。该器件集成了霍尔电压发生器、信号放大器、施密特触发器以及输出驱动器，能够在宽温度范围内稳定工作，适用于检测磁场变化并将其转换为数字开关信号输出。LB1964T-TLM采用SIP-3L（单列直插式3引脚）封装，具有较小的体积和良好的热稳定性，适合在空间受限的应用中使用。其内部电路经过优化设计，具备反向电压保护、过热保护和输出短路保护功能，提升了系统整体的鲁棒性。该芯片广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及家用电器等领域，例如用于检测门/盖的开合状态、位置感应、转速测量等场景。由于其高抗干扰能力和稳定的磁响应特性，LB1964T-TLM在存在电磁噪声的环境中依然能够提供可靠的开关动作，是替代机械式开关的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造的需求。

参数

工作电压范围：3.0V 至 24V
　　静态电流：典型值 4.5mA
　　输出类型：开漏（Open-Drain）
　　磁感应强度（Bop）：典型值 3.5mT
　　释放点（Brp）：典型值 2.5m7T
　　回差（Bhys）：典型值 1.0mT
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SIP-3L
　　响应时间：典型值 1μs
　　输出耐压：最高 30V
　　极性敏感性：南极为有效触发
　　防护等级：集成反接保护、热关断保护、输出短路保护

特性

LB1964T-TLM具备卓越的磁传感性能与高度集成化的电路结构，使其在众多霍尔传感器中脱颖而出。首先，该器件采用先进的CMOS工艺制造，显著降低了功耗，同时保证了高速响应能力。其内部集成了稳压电路，允许在3.0V至24V宽电压范围内正常工作，增强了对不同电源环境的适应性，特别适合电池供电或车载系统等电压波动较大的应用场景。
　　其次，LB1964T-TLM内置高增益放大器和精密的施密特触发整形电路，确保输出信号干净稳定，有效防止因磁场临界波动引起的输出抖动。其典型的操作点（Bop）为3.5mT，释放点（Brp）为2.5mT，具备约1.0mT的磁滞（Bhys），这一设计有效提高了抗外部杂散磁场干扰的能力，避免误触发，保障系统长期运行的可靠性。
　　再者，该芯片采用开漏输出结构，允许用户通过外接上拉电阻灵活配置输出电平，兼容多种逻辑系统（如3.3V、5V、甚至更高电平的微控制器接口）。这种设计也便于多个传感器进行线“与”连接，简化复杂系统的布线结构。
　　在可靠性方面，LB1964T-TLM集成了多项保护机制，包括反向电源连接保护、输出短路保护以及热关断功能。当芯片温度超过安全阈值时，会自动关闭输出以防止损坏，待温度恢复正常后自动恢复工作，极大提升了在恶劣工业环境下的耐用性。
　　此外，SIP-3L封装不仅节省PCB空间，还具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化贴装工艺。整体而言，LB1964T-TLM以其高灵敏度、低功耗、强抗干扰性和全面的保护功能，成为位置检测和非接触式开关应用中的理想选择。

应用

LB1964T-TLM广泛应用于需要非接触式位置检测和状态监控的各种电子系统中。在消费类电子产品中，常用于笔记本电脑、智能手机和平板设备中的翻盖/滑盖检测，实现屏幕自动开关机功能，提升用户体验并节省电量。
　　在家电领域，该器件被用于洗衣机、微波炉、冰箱等设备的门盖检测，判断门是否关闭到位，从而控制设备启动或停止运行，提高使用的安全性与智能化水平。
　　在工业自动化方面，LB1964T-TLM可用于电机转速测量、编码器反馈、阀门位置监测等场合，配合磁环或多极磁铁实现精确的位置识别，且不受灰尘、油污等环境因素影响，相比机械开关具有更长的使用寿命。
　　在汽车电子系统中，它可用于检测座椅位置、安全带扣状态、换挡杆位置、尾门开闭等，满足汽车级工作温度和可靠性要求，支持ASIL等级系统的集成。
　　此外，在智能锁、安防系统、POS机、打印机等设备中，LB1964T-TLM也可作为关键的状态感应元件，实现高效、可靠的非接触式检测。得益于其宽电压输入和高抗干扰能力，即使在电磁环境复杂的场景下也能稳定工作，因此在各类需要长期免维护运行的设备中表现出色。