LB10070LONH 时间：2025/9/5 19:28:25 阅读：4

LB10070LONH是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的低噪声放大器（LNA），广泛应用于无线通信系统中。该器件设计用于在高频范围内工作，具有出色的噪声系数和高增益性能，非常适合用于接收器前端设计。LB10070LONH采用紧凑的封装形式，提供优异的热管理和电气性能。

参数

工作频率范围：2.4GHz - 2.5GHz
　　噪声系数：0.7dB（典型值）
　　增益：18dB（典型值）
　　输出三阶交调截点（OIP3）：32dBm
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：-40°C至+105°C
　　封装类型：16引脚QFN

特性

LB10070LONH具有极低的噪声系数，使其成为无线基础设施和高性能接收器应用中的理想选择。其高线性度特性确保了在高信号强度环境下仍能保持优异的性能。此外，该器件集成了偏置电路，简化了外部设计需求，并提高了系统的稳定性。LB10070LONH还具有良好的温度稳定性，可在各种环境条件下可靠运行。其QFN封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能。
　　该器件内部集成了输入和输出匹配网络，减少了外部元件数量，降低了设计复杂性。同时，其高隔离度特性可有效防止信号回传，提高系统的整体性能。LB10070LONH还具有宽动态范围，适用于多种无线通信标准，包括Wi-Fi、WiMAX和蜂窝通信系统。
　　此外，LB10070LONH采用了先进的GaAs（砷化镓）工艺制造，确保了高频下的优异性能。其高可靠性设计使其适用于工业级和汽车级应用场合。