产品类型：片式磁珠
　　中心材料：铁氧体
　　封装尺寸：0201（公制0603）
　　阻抗值（100MHz）：220Ω
　　阻抗容差：±5%
　　额定电流：500mA
　　直流电阻（DCR）：典型值0.45Ω，最大值0.6Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　耐压值：50V
　　谐振频率：典型值约500MHz
　　屏蔽类型：非屏蔽
　　安装方式：表面贴装（SMD）

LAN02TA221J磁珠的核心特性在于其优异的高频噪声抑制能力。在100MHz下提供220Ω的高阻抗，使其能够有效衰减高速数字电路、开关电源、时钟线路等产生的射频干扰。其低直流电阻（DCR）特性——典型值仅为0.45Ω——确保了在通过工作电流时功耗极低，不会对电源轨造成显著压降，这对于便携式设备和低功耗系统尤为重要。此外，该磁珠具备500mA的额定电流承载能力，在小型化封装内实现了较高的电流处理性能，能够在不牺牲效率的前提下稳定运行。
　　该器件采用多层陶瓷工艺制造，内部绕组与铁氧体材料高度集成，形成分布式的电感与电阻网络。这种结构不仅提升了高频响应的一致性，还增强了温度稳定性与机械强度。由于其非屏蔽结构设计，LAN02TA221J具有成本优势且易于大规模生产，适用于对空间敏感但电磁兼容性要求较高的应用场景。其工作温度范围宽达-55℃至+125℃，可在严苛的环境条件下保持性能稳定，满足工业级与部分汽车电子应用的需求。
　　另一个关键特性是其良好的频率响应特性。随着频率升高，磁珠的感抗逐渐增加直至达到峰值，之后因寄生电容效应进入谐振区并转为容性。LAN02TA221J的设计使其谐振频率位于约500MHz附近，这意味着在大多数常见噪声频段（如100MHz~300MHz）内仍处于高效吸收区，能有效将噪声能量转化为热能消耗掉，而非反射回电路，从而避免产生二次干扰。这一“吸收型”滤波机制优于传统LC滤波器中的“反射型”方式，有助于整体系统EMI性能的提升。
　　此外，该磁珠支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺，具备良好的可制造性。其符合RoHS指令且不含卤素，适用于绿色电子产品设计。综合来看，LAN02TA221J在小型化、高性能与可靠性之间取得了良好平衡，是现代电子设计中理想的EMI抑制解决方案之一。

LAN02TA221J广泛应用于各类需要电磁干扰抑制的电子电路中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表等，用于音频线路、数据接口（USB、HDMI）、摄像头模组及显示屏背光驱动电路中的噪声滤除，以防止高频干扰影响音视频质量或导致误操作。在无线通信模块中，该磁珠常被放置于RF前端供电线路或数字基带信号线上，用以隔离不同功能单元之间的耦合噪声，提升信号完整性和通信稳定性。
　　在计算机及其外设领域，LAN02TA221J可用于主板上的电源去耦、内存模块的信号线滤波以及高速串行链路（如PCIe、SATA）的端接处理，帮助满足FCC和CE等电磁兼容认证要求。在电源管理系统中，特别是在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出端，该磁珠可有效抑制开关噪声向其他电路部分传播，提高整个电源系统的纯净度。
　　此外，工业控制设备、医疗电子仪器、智能家居控制器等对可靠性和抗干扰能力有较高要求的场合也普遍采用此类磁珠。例如，在传感器信号采集路径中加入LAN02TA221J，可以防止外部电磁场干扰导致的数据漂移或采样误差。其小尺寸特性特别适合高密度PCB布局，尤其适用于采用0201及以上精度元器件的紧凑型设计。总之，凡是有高频噪声存在且需进行EMI优化的电路节点，均可考虑使用LAN02TA221J实现有效的滤波功能。

BLM21PG221SN1D
　　DMCF1005121K-8
　　SRN3015-221Y