时间：2025/12/27 7:47:30
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UTT36P03G-TN3-R是一款由Unipower（优尼克）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，专为高效率、低导通电阻和快速开关性能而设计。该器件适用于多种电源管理应用，特别是在需要高电流承载能力和低功耗的场合表现优异。UTT36P03G-TN3-R封装在小型化的SOP-8或Power SOP-8封装中，具有良好的热性能和空间利用率，适合于便携式电子设备和高密度PCB布局设计。该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，增强了系统在瞬态电压冲击下的可靠性。其栅极阈值电压适中，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。此外，该器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适用于工业级工作温度范围，确保在各种环境条件下稳定运行。UTT36P03G-TN3-R广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及电源管理系统中，是替代传统P沟道MOSFET的理想选择之一。
型号：UTT36P03G-TN3-R
类型：P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大连续漏极电流（ID）：-18A（@25℃）
最大脉冲漏极电流（IDM）：-45A
最大栅源电压（VGS）：±20V
栅极阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.2V
导通电阻RDS(on)：2.3mΩ @ VGS = -10V；3.6mΩ @ VGS = -4.5V
输入电容（Ciss）：2200pF @ VDS=15V
输出电容（Coss）：580pF @ VDS=15V
反向恢复时间（trr）：30ns
功耗（PD）：2.5W（@25℃）
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOP-8 / Power SOP-8
UTT36P03G-TN3-R采用了先进的沟槽式工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其低至3.6mΩ的RDS(on)在VGS=-4.5V条件下实现，使得该器件能够在低电压驱动环境下依然保持优异的导通性能，适用于电池供电设备中对效率要求极高的场景。
该MOSFET具备出色的热稳定性与电流承载能力，在高温环境下仍能维持稳定的电气特性，避免因温升导致的性能下降。器件内部结构优化了电场分布，提升了击穿电压的稳定性，并增强了抗雪崩能力，使其在突发过压或感性负载切换时具备更高的鲁棒性。
UTT36P03G-TN3-R的栅极设计具有较低的输入电容和合理的米勒电容比例，有助于减少开关过程中的延迟和振荡，提升开关速度，降低开关损耗，特别适合高频开关电源应用。同时，其负向栅极阈值电压设定合理，避免误触发，确保在噪声环境中也能可靠关断。
封装采用Power SOP-8形式，具有较大的散热焊盘，可通过PCB背面的热焊盘有效导出热量，提升长期工作的可靠性。此外，封装尺寸紧凑，节省PCB空间，适用于移动设备、笔记本电脑、平板电源管理模块等对体积敏感的应用。
该器件还具备良好的抗ESD能力，生产过程中严格遵循质量控制流程，确保批次一致性高，适合自动化贴片生产线使用，提高制造效率并降低不良率。综合来看，UTT36P03G-TN3-R是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于现代高效电源系统的设计需求。
UTT36P03G-TN3-R广泛应用于各类电源管理系统中，尤其适用于需要高效率和小体积解决方案的场合。典型应用包括同步整流DC-DC降压变换器，作为高端或低端开关管使用，利用其低导通电阻特性减少能量损耗，提高转换效率。
在电池供电设备如智能手机、平板电脑、便携式医疗仪器中，该器件常用于电池充放电管理电路和负载开关控制，能够实现快速响应和低静态功耗，延长设备续航时间。
此外，它也适用于电机驱动电路中的H桥结构，作为P沟道侧的驱动开关，配合N沟道MOSFET实现双向转动控制，其快速开关特性和高电流能力保障了电机启动和制动的平稳性。
在工业控制领域，UTT36P03G-TN3-R可用于继电器替代方案、固态开关、电源多路复用器以及热插拔控制器中，提供可靠的电源通断控制功能，防止浪涌电流损坏后级电路。
由于其良好的热性能和稳定的电气参数，该器件也可用于LED驱动电源、逆变器、UPS不间断电源等中低功率电源模块中，作为关键的功率开关元件。其兼容逻辑电平的驱动特性简化了控制电路设计，降低了系统复杂度。
AON7410, SI4439BDY-T1-GE3, FDS6680A, CSD17313Q2, NDP6140P
