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LAE65F 发布时间 时间:2025/12/28 6:31:47 查看 阅读:10

LAE65F是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据线路和精密电子设备的静电放电(ESD)保护而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,能够在极短时间内响应并钳位瞬态过电压,从而有效防止敏感电路因静电或雷击感应等瞬态干扰而损坏。LAE65F集成了多个TVS二极管通道,适用于多种信号线保护场景,尤其适合对信号完整性要求较高的高速接口。其低电容特性确保了在保护过程中不会显著影响信号传输质量,因此广泛应用于通信设备、消费类电子产品以及工业控制系统中。
  LAE65F封装小巧,通常采用DFN或SOD-523等小型表面贴装封装形式,便于在高密度PCB布局中使用。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了IEC 61000-4-2 Level 4等国际ESD测试标准,具备高达±15kV的空气放电和接触放电防护能力,确保在严苛电磁环境中仍能提供可靠保护。由于其出色的响应速度、低漏电流和高可靠性,LAE65F成为现代电子系统中不可或缺的电路保护元件之一。

参数

器件类型:TVS二极管阵列
  通道数:4通道
  工作电压(VRWM):5.5V
  击穿电压(VBR):6.3V(最大值)
  钳位电压(VC):12V(典型值,IPP=1A)
  峰值脉冲电流(IPP):1A(每通道)
  电容值(Ct):0.7pF(典型值,f=1MHz)
  ESD耐受能力:±15kV(IEC 61000-4-2,空气/接触放电)
  反向漏电流(IR):小于1μA(VRWM=5.5V)
  封装类型:DFN1006-6
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

LAE65F具备卓越的瞬态电压抑制性能,能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电放电事件,迅速将过电压钳制在安全范围内,从而保护后端敏感集成电路不受损害。其核心优势在于极低的结电容,典型值仅为0.7pF,在高频信号线路中几乎不会引入信号衰减或失真,特别适用于USB 2.0、HDMI、DisplayPort、音频接口等高速数据传输应用。这种低电容设计使得信号上升/下降时间保持稳定,避免了因保护器件引入的延迟或反射问题,确保系统信号完整性不受影响。
  该器件采用多通道集成结构,单个封装内包含四个独立的TVS二极管,每个通道均可独立工作,支持双向保护模式,能够应对正负极性瞬态电压冲击。这种灵活性使其适用于差分对信号线或多个单端信号线的同时保护,大幅节省PCB空间并简化电路设计。LAE65F还具有非常低的漏电流特性,在正常工作条件下漏电流小于1μA,不会增加系统功耗或造成信号偏移,确保长时间运行的稳定性与可靠性。
  得益于先进的半导体制造工艺,LAE65F拥有出色的热稳定性和长期耐久性,可在-40°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作,适应各种恶劣环境条件。其小型DFN1006-6封装不仅节省空间,还具备良好的散热性能,有助于提高功率密度下的可靠性。此外,该器件符合无铅和RoHS环保要求,适合自动化贴片生产流程,广泛用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及车载信息娱乐系统中,作为关键的前端防护元件。

应用

LAE65F主要用于各类需要高等级静电放电保护的电子设备中,尤其是在高速数据接口和便携式消费类电子产品中表现突出。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB接口、耳机插孔、触摸屏信号线以及摄像头模组连接器的ESD防护。由于其低电容和快速响应特性,它能够有效保护这些高频信号路径免受人体模型(HBM)或机器模型(MM)静电放电的影响,避免因瞬间高压导致芯片损坏或功能异常。
  在计算机与外设领域,LAE65F常用于保护笔记本电脑、显示器和打印机上的HDMI、DP、LVDS等视频信号线,确保高清信号传输的稳定性与清晰度。同时,也可应用于工业控制系统的传感器信号输入端口、通信模块的RS-232/RS-485接口以及IoT设备的无线模块天线馈线保护,提升整体系统的抗干扰能力和现场可靠性。
  汽车电子方面,随着智能座舱和车联网技术的发展,车内大量使用的触摸按键、USB充电口、CAN总线接口等都面临严峻的ESD挑战。LAE65F凭借其高防护等级和小尺寸优势,成为车载人机交互界面的理想保护方案。此外,在医疗设备、测试仪器等对信号精度要求极高的场合,LAE65F也能提供可靠的瞬态抑制功能而不影响测量精度,是高性能电路保护设计中的优选器件。

替代型号

RCLAMP0524P

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