时间：2025/5/24 9:53:10
阅读：3
PVG3A201C01R00 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。该器件通常用于需要高效功率转换的应用中，例如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够显著降低系统功耗并提高效率，同时支持高频操作以减少磁性元件体积。
型号：PVG3A201C01R00
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：100 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
持续漏极电流 (Id)：3.6 A
导通电阻 (Rds(on))：15 mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
总栅极电荷 (Qg)：12 nC
输入电容 (Ciss)：480 pF
输出电容 (Coss)：100 pF
反向传输电容 (Crss)：30 pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：SOT-23
PVG3A201C01R00 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低导通损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用，可有效减小外部无源元件的尺寸。
3. 高浪涌能力，能承受较大的瞬 优秀的热稳定性，能够在宽温度范围内保持一致的性能。
5. 小型化封装 SOT-23，节省 PCB 空间，非常适合空间受限的设计。
6. 支持高侧和低侧驱动，灵活适用于各种电路拓扑结构。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接加工。
PVG3A201C01R00 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压及升降压拓扑。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 消费电子产品的负载开关和保护电路。
5. 小型电机驱动和步进电机控制。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。
7. 可穿戴设备和其他便携式电子产品的功率管理模块。
PVG3A200C01R00
PVG3A201C01K00
NTMFS4839NL
IRLML6402TRPBF
