时间：2025/8/13 8:15:49
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L8550QLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的低饱和电压（Low-Voltage Dropout, LDO）稳压器集成电路。该器件专为需要高精度输出电压、低静态电流和高纹波抑制比（PSRR）的应用而设计，适用于便携式电子设备、电池供电系统、手持设备以及需要高效电源管理的场合。
类型：LDO稳压器
输出类型：固定电压
输出电压：5.0V
输出电流：最大150mA
输入电压范围：2.7V - 5.5V
压差电压（典型值）：300mV @ 150mA负载
静态电流（IQ）：80μA（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：SOT-23-5
L8550QLT1G IC具备多项优异特性，首先其低静态电流（仅80μA）使其非常适合电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。
其次，该LDO具有出色的压差性能，在满载150mA电流下压差仅为300mV，这使得在输入电压接近输出电压时仍能保持稳定输出，提高了系统效率。
此外，L8550QLT1G具备良好的负载和线性调整率，输出电压精度为±2%，确保供电稳定性。
该器件还集成了多种保护功能，如过温保护（OTP）和过流保护（OCP），有效防止异常工况下对芯片的损害。
其高纹波抑制比（PSRR）在1kHz频率下可达70dB，能有效抑制输入电压中的噪声，为敏感电路提供干净的电源。
最后，该器件采用SOT-23-5小型封装，节省PCB空间，适用于空间受限的便携式电子产品。
L8550QLT1G 主要用于需要稳定5V电压输出的小型电子设备中。常见应用包括便携式仪表、电池管理系统、无线模块（如蓝牙、Wi-Fi）、传感器供电、手持设备、数码相机以及各种低功耗微控制器系统。由于其低静态电流和高PSRR特性，也广泛应用于音频设备、精密模拟电路和射频前端电路中，作为高效、稳定的电源调节器件。
LM1117-5.0, HT755-1, XC6206P501MR
