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K9F5608U0D-PCB0 发布时间 时间:2025/5/8 9:10:38 查看 阅读:7

K9F5608U0D-PCB0 是由三星(Samsung)推出的一款NAND闪存芯片,主要用于数据存储。该芯片采用了先进的制造工艺,在容量、速度和可靠性方面表现出色。它适用于各种嵌入式系统、消费类电子产品以及工业应用中需要大容量存储的场景。

参数

类型:NAND Flash
  容量:64Mb(8MB)
  接口:8位并行接口
  工作电压:3.3V±0.3V
  封装形式:TSOP-48
  数据保留时间:10年
  擦写寿命:100,000次
  工作温度范围:0℃至70℃
  待机电流:最大20μA
  读取电流:最大70mA
  写入电流:最大150mA

特性

K9F5608U0D-PCB0 是一款经典的 NAND Flash 存储芯片,其主要特点包括以下几点:
  1. 高密度存储:尽管以现代标准来看容量较小,但在当时的技术背景下,64Mb 的容量已经能够满足大多数便携式设备的需求。
  2. 快速读写性能:通过优化的内部架构设计,这款芯片提供了比传统 NOR Flash 更快的数据写入速度。
  3. 可靠性高:采用成熟的制程技术生产,具有良好的数据完整性和较长的使用寿命。
  4. 灵活的应用支持:支持多种操作模式,包括页编程、块擦除等,便于开发者根据实际需求进行配置。
  5. 小型化封装:使用 TSOP-48 封装方式,不仅节省了 PCB 板上的空间,还提高了焊接和组装效率。
  6. 节能环保:低功耗设计使其非常适合电池供电的移动设备使用。

应用

K9F5608U0D-PCB0 主要应用于以下领域:
  1. 数码相机和摄像机:用于存储照片和视频文件。
  2. MP3 播放器和其他便携式音频设备:提供内部存储功能以保存音乐文件。
  3. 手机和智能手机:作为早期手机中的内置存储介质之一。
  4. USB 闪存盘:构成早期 U 盘的核心存储单元。
  5. 固态存储卡:如 CompactFlash 或 SD 卡等产品中也可能会用到此类 NAND Flash 芯片。
  6. 嵌入式系统:为工业控制、医疗仪器等领域提供可靠的非易失性存储解决方案。

替代型号

K9F5608U0C-PBCT0
  K9F5608U0M
  K9F5608U0A

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