L8550HQLT1G 时间：2025/4/27 16:39:21 阅读：6

L8550HQLT1G 是 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沱尔晶体管（NPN 晶体管）。该器件专为高电流应用而设计，具有良好的开关特性和热稳定性，适用于各种功率控制场景。
　　其封装形式为 TO-220，这种封装有助于提高散热性能，使其能够在较高的功率水平下工作。

参数

集电极-发射极电压：60V
　　集电极电流：5A
　　功耗：60W
　　直流电流增益（hFE）：最小值40，最大值300
　　过渡频率：3MHz
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　结温：+150°C

特性

L8550HQLT1G 具有以下特点：
　　1. 高电流承载能力，可支持高达 5A 的集电极电流。
　　2. 优秀的热稳定性，能够适应宽泛的工作温度范围，适合工业和汽车等恶劣环境中的应用。
　　3. 较低的饱和电压，有助于减少功率损耗并提升效率。
　　4. 高增益范围（hFE），确保在不同负载条件下实现可靠的放大和开关功能。
　　5. 封装采用标准 TO-220，便于安装和集成到现有电路中，并且具备良好的散热能力。

应用

L8550HQLT1G 常用于以下领域：
　　1. 开关电源和稳压器中的开关元件。
　　2. 电机驱动和继电器控制电路。
　　3. 各种工业设备中的功率放大器。
　　4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
　　5. LED 驱动和照明控制。
　　由于其高电流处理能力和稳定性，这款晶体管非常适合需要高效功率切换和放大的场合。