时间：2025/7/12 4:03:15
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HH18N120J500CT是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该芯片设计用于高电压、高功率的应用场合，具有低导通电阻和快速开关特性。其封装形式通常为TO-247或类似的功率封装，能够提供高效的电力传输和转换。
这款MOSFET广泛应用于工业、汽车及消费类电子产品中，如电源适配器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及太阳能逆变器等场景。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：500A
栅极电荷：360nC
导通电阻：3.5mΩ
工作结温范围：-55℃ to +175℃
功耗：300kW
开关频率：最高可达100kHz
HH18N120J500CT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：支持高达1200V的漏源电压，适用于高压环境下的电力电子设备。
2. 大电流承载能力：连续漏极电流可达500A，确保在高负载条件下稳定运行。
3. 低导通电阻：仅3.5mΩ的导通电阻降低了功率损耗，提高了系统效率。
4. 快速开关性能：具备较小的栅极电荷和优化的寄生电感设计，适合高频应用。
5. 耐高温性能：可承受最高175℃的工作结温，适应恶劣的工作条件。
6. 可靠性高：通过了严格的电气和机械测试，满足长期使用需求。
HH18N120J500CT主要应用于以下领域：
1. 工业级大功率电源供应器
2. 电动车辆中的电机控制器
3. 太阳能光伏逆变器
4. 不间断电源（UPS）系统
5. 大功率LED照明驱动
6. 各类需要高效能量转换和传输的场合
