L8550HQL1TG 时间：2025/8/13 13:41:34 阅读：16

L8550HQL1TG是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管（BJT），主要用于高频率和高功率应用。该晶体管具有良好的性能和稳定性，适用于工业控制、电源管理和信号放大等场景。L8550HQL1TG采用SOT-23封装，具有较小的体积和较高的热效率，非常适合高密度电路设计。

参数

类型：NPN型双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极电流：100mA
　　最大功耗：300mW
　　增益带宽：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为110-800（根据等级）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

L8550HQL1TG的特性包括高频率响应、低饱和电压和良好的线性放大能力。该晶体管采用了先进的制造工艺，确保了在高频操作下的稳定性能。此外，它具有较低的基极电阻，能够提高电路的增益和响应速度。L8550HQL1TG还具有较强的抗干扰能力和较高的可靠性，适用于复杂的工作环境。
　　这款晶体管在设计上优化了热管理和功耗控制，能够在高温环境下保持稳定运行。L8550HQL1TG还具有较宽的工作温度范围，使其能够在工业级应用中表现出色。