晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz

L8050HSLT1G 具备多种优良特性，适用于广泛的应用场景。其高电流增益（hFE）范围为 110 至 800，具体取决于工作条件，使得该晶体管能够在不同的电路配置中提供稳定的放大性能。晶体管的最大集电极电流为 100mA，适合中等功率应用，同时具备较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高效率。
　　该晶体管采用了 SOT-23 封装，具有紧凑的尺寸，适合在空间受限的电路板设计中使用。此外，其最大集电极-发射极电压为 80V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理和开关电路。L8050HSLT1G 还具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作，确保在不同环境条件下的可靠运行。
　　晶体管的频率响应高达 100MHz，使其能够在射频（RF）和高速开关应用中表现出色。此外，其低噪声特性也使其适用于音频放大和其他对噪声敏感的应用场景。L8050HSLT1G 的设计考虑了长期稳定性和耐用性，确保在各种工业和消费类电子产品中具有较长的使用寿命。

L8050HSLT1G 主要应用于以下领域：
　　1. **信号放大**：由于其高增益和低噪声特性，L8050HSLT1G 广泛用于音频放大器、射频放大器和其他信号放大电路中，能够提供稳定的信号增益。
　　2. **开关电路**：该晶体管可用于数字电路中的开关元件，适用于需要中等电流控制的场合，如 LED 驱动、继电器控制和电机控制。
　　3. **电源管理**：L8050HSLT1G 可用于稳压电路、DC-DC 转换器和电池管理系统中，帮助实现高效的能量转换和管理。
　　4. **消费类电子产品**：该晶体管常见于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等消费类电子产品中，用于各种信号处理和电源控制功能。
　　5. **工业控制系统**：在工业自动化设备和传感器模块中，L8050HSLT1G 可作为放大器或开关元件，用于控制执行机构和监测信号。

BC847, 2N3904, PN2222, MMBT3904