时间：2025/8/6 13:08:10
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IXFN180N10 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率应用而设计。该器件适用于需要高效能和高可靠性的场合，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及逆变器系统等。IXFN180N10 采用了先进的技术，以确保在高温和高电流条件下依然能够稳定运行。
最大漏源电压 Vds：100V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大漏极电流 Id：180A（在 25°C 时）
导通电阻 Rds(on)：最大 6.2mΩ（在 Vgs = 10V 时）
耗散功率 Pd：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXFN180N10 具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，使其在高电流条件下具有更低的功率损耗，从而提高了整体效率。此外，该 MOSFET 还具备出色的热性能，能够在高温度环境下稳定工作。
这款器件采用了坚固的封装设计，确保了在恶劣工作条件下的可靠性。其高电流容量和低导通损耗特性使其成为高频开关应用的理想选择。
另外，IXFN180N10 还具有良好的栅极电荷特性，使得开关速度更快，从而减少了开关损耗。同时，其反向恢复时间较短，适用于需要快速切换的应用场景。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-247，便于安装和散热，同时也方便在各种电路板上进行布局。
IXFN180N10 主要应用于高功率开关电源（SMPS）、电动车辆的电力系统、太阳能逆变器、工业电机控制、DC-DC 转换器以及电池管理系统等。在这些应用中，该器件能够提供高效的电力转换和稳定的性能表现。
由于其高电流承载能力和低导通电阻，IXFN180N10 特别适合用于需要大电流和高效率的场合，例如服务器电源、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及高性能计算设备的电源模块。
此外，该 MOSFET 还可用于电池充电系统、电焊机、变频器以及其他需要高效能功率管理的电子系统中。
IXFN180N10 可以被 IXYS 的 IXFN180N10T 或 IXFN180N10P 替代，也可以考虑其他品牌如 Infineon 的 IPW180N10S4-03 或 STMicroelectronics 的 STP180N10F7。
