L6398DTR 时间：2025/12/24 19:47:18 阅读：14

L6398DTR 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压高边和低边栅极驱动器芯片，常用于驱动功率MOSFET和IGBT。该芯片设计用于半桥或全桥拓扑结构，具有较高的集成度和驱动能力，适用于电机控制、电源转换、工业自动化等高功率应用领域。L6398DTR 采用紧凑型SO-20封装，具有良好的热性能和抗干扰能力。

参数

工作电压范围：9.5V 至 20V
　　高压侧浮动电压：最大600V
　　输出驱动电流：高端和低端均为200mA/400mA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SO-20
　　输入信号兼容CMOS/TTL
　　死区时间可编程
　　欠压锁定保护（UVLO）
　　传播延迟：<800ns

特性

L6398DTR 是一款功能强大的双通道栅极驱动器，其核心特性包括高压浮动通道设计，使其能够用于高边开关的驱动，适用于多种功率转换拓扑结构。芯片内部集成了一个高压电荷泵，可为高边MOSFET提供稳定的栅极驱动电压，确保在高电压环境下仍能可靠工作。
　　该芯片具备较强的抗干扰能力，采用了HVIC（高压集成电路）技术，能够在高dv/dt环境下稳定运行。此外，L6398DTR 还集成了欠压锁定保护功能（UVLO），当供电电压低于设定阈值时会自动关闭输出，防止MOSFET因驱动电压不足而损坏。
　　L6398DTR 支持快速开关操作，具有较短的传播延迟（小于800ns）和低延迟失配特性，确保高端和低端MOSFET能够精确同步，从而提高系统效率并减少开关损耗。其输入信号兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于与微控制器或PWM控制器接口连接。
　　在热管理和可靠性方面，该器件采用SO-20封装，具有良好的散热性能，可在-40°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

L6398DTR 广泛应用于需要高边和低边驱动能力的功率转换系统中，如无刷直流电机（BLDC）驱动器、H桥电机控制器、DC-AC逆变器、电源模块、太阳能逆变器和工业变频器等。由于其高压能力和高集成度，它也适用于需要隔离式高边驱动的场合，如智能功率模块（IPM）和高电压DC-DC转换器。
　　在电机控制应用中，L6398DTR 可以驱动半桥结构中的两个MOSFET，配合微控制器的PWM信号实现精确的速度和扭矩控制。在电源系统中，它可以用于同步整流、负载开关或谐振转换器中的开关器件驱动。
　　此外，该芯片的高抗干扰能力使其适用于电磁干扰（EMI）较大的环境，例如工业自动化设备和电动车辆中的功率系统。