型号：RM100C2Z-M
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.1A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：16.4A
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.2V，范围1.0V~1.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值35mΩ @ Vgs=4.5V；最大值27mΩ @ Vgs=2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值220pF @ Vds=10V
　　输出电容（Coss）：典型值95pF @ Vds=10V
　　反向传输电容（Crss）：典型值30pF @ Vds=10V
　　栅极电荷（Qg）：典型值6.8nC @ Vds=10V, Id=2A
　　功耗（Pd）：最大值1W（Tc=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN1010B3 (1.0mm x 1.0mm)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

RM100C2Z-M具备多项高性能特性，使其在同类产品中表现出色。首先，该MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=2.5V时最大仅为27mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并减少发热。
　　其次，该器件支持低电压驱动，阈值电压（Vth）典型值为1.2V，可在2.5V至4.5V的栅极电压下稳定工作，兼容3.3V和1.8V逻辑电平系统，适用于现代低电压微控制器直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　第三，RM100C2Z-M采用DFN1010B3超小型封装，尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.55mm，极大节省了PCB布局空间，特别适合智能手机、可穿戴设备和其他紧凑型电子产品。该封装还具备良好的热传导性能，通过底部散热焊盘可有效将热量传递至PCB，提升功率处理能力。
　　此外，该MOSFET具有快速开关能力，输入电容和反向传输电容较小，降低了开关过程中的能量损耗，提升了高频工作的效率。同时，其雪崩耐量能力经过优化，在突发电压冲击下仍能保持稳定，增强了系统的鲁棒性。
　　最后，RM100C2Z-M在制造过程中遵循严格的品质控制标准，确保批次一致性高，可靠性强，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定运行，适用于严苛的工作环境。综合这些特性，该器件成为高密度、高效率电源设计的理想选择。

RM100C2Z-M广泛应用于多种需要高效、小型化功率开关的电子系统中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机，该MOSFET常用于电池电源路径管理、负载开关和LDO旁路控制，利用其低导通电阻和低静态电流特性，最大限度地减少待机和运行状态下的功耗。
　　在电源管理系统中，它被用于同步整流型DC-DC转换器或BUCK电路的下管开关，提高整体转换效率。其快速开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频开关电源设计，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的电源模块。
　　在工业控制领域，RM100C2Z-M可用于传感器供电开关、继电器驱动电路和电机控制中的低边开关，提供可靠的通断控制和过流保护功能。其高抗噪能力和稳定的电气参数保证了在复杂电磁环境中长期稳定运行。
　　此外，在汽车电子系统中，该器件适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和ADAS传感器单元中的低压电源切换，满足AEC-Q101可靠性标准的部分要求（需确认具体认证状态），适应车辆运行中的振动、温度变化和电压波动。
　　在物联网（IoT）设备和无线传感器节点中，RM100C2Z-M用于实现电源域隔离和节能模式切换，帮助设备在休眠与唤醒之间高效切换，延长电池寿命。其小封装和高集成度也便于在微型PCB上布局，适应高度集成的设计趋势。

RN2002XMS,R6004JN,R6004KN