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L5NK65Z 发布时间 时间:2025/7/22 4:26:38 查看 阅读:3

L5NK65Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效率和高功率密度的功率电子应用中。L5NK65Z采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和优异的热性能,使其在高电流工作条件下依然保持稳定和可靠。该MOSFET的工作电压可达650V,适合中高功率的电力电子系统设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大漏极电流(Id):11A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):0.65Ω(最大值)
  最大功耗(Ptot):80W
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-220
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  漏源击穿电压(BVDSS):650V
  输入电容(Ciss):980pF(典型值)

特性

L5NK65Z具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))可降低导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。其次,该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行,增强系统的可靠性。
  此外,L5NK65Z采用TO-220封装,具备良好的散热性能,有助于在高功率密度应用中维持较低的工作温度。其较高的工作电压(650V)使其适用于各种AC/DC和DC/DC转换器电路,尤其是在需要较高电压耐受能力的工业电源和电机驱动系统中。
  该器件还具备快速开关特性,能够支持高频操作,从而减小外部滤波元件的尺寸,提高电源系统的响应速度。栅极驱动要求较低,可与多种控制IC直接兼容,简化电路设计。
  值得一提的是,L5NK65Z具有良好的短路耐受能力,适用于需要高可靠性的应用场景,如电动汽车充电设备、不间断电源(UPS)和工业自动化系统。

应用

L5NK65Z广泛应用于各类功率电子系统,如开关电源(SMPS)、电池充电器、DC-DC转换器、逆变器和电机控制模块。其高电压耐受能力和低导通电阻也使其适用于工业自动化设备、智能家电和照明控制系统中的功率调节模块。
  在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,L5NK65Z可用于高频功率变换环节,提高系统的能效和稳定性。此外,在电动工具和轻型电动车的电机驱动系统中,该MOSFET也能提供可靠的功率开关性能。
  由于其优异的热管理和可靠性,L5NK65Z也常用于需要长时间稳定运行的医疗设备、测试仪器和通信电源模块中。

替代型号

STP12NM65N, FQA13N65C, IRFBC40

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