L5150CJTR 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 没有通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TO-220AC 封装,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。其设计主要用于高电流、高压应用场合,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理等。
由于 L5150CJTR 的高性能特性,它能够提供高效的功率转换,并具备较低的导通损耗和快速的开关速度。同时,其坚固的设计使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:49nC
开关时间:ton=13ns, toff=22ns
功耗:360W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
L5150CJTR 提供了卓越的性能特点,包括低导通电阻以减少功率损耗,高电流处理能力以满足大功率应用需求,以及快速的开关速度以提高系统效率。
此外,该器件还具有出色的热性能和电气稳定性,确保在高温或高压环境下依然能可靠工作。其封装形式也便于散热和安装,进一步增强了其实用性。
主要优势如下:
1. 高效的功率转换能力。
2. 较低的导通电阻,降低发热和能耗。
3. 快速的开关响应,适用于高频应用场景。
4. 高可靠性,支持极端温度范围内的稳定操作。
L5150CJTR 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于实现高效的电压调节。
2. 电机驱动和控制,特别是对功率要求较高的无刷直流电机 (BLDC) 系统。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统 (BMS),如电动汽车 (EV) 或混合动力汽车 (HEV) 中的电池保护。
5. 充电器解决方案,包括便携式电子设备和工业设备的充电模块。
这些应用都得益于 L5150CJTR 的高电流承载能力和低导通电阻特性,从而提升整体系统的效率与可靠性。
L5150CJTD, L5150CJTR-Q, L5150CJTD-Q