时间：2025/12/26 22:01:34
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L4004L3TP是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和薄芯片技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能。该器件特别适用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及负载开关等场景。L4004L3TP封装在小型化的贴片式PowerSSO-36（或称MiniSO-8）封装中，有助于节省电路板空间并提升功率密度。该MOSFET设计用于在低电压控制逻辑下工作，支持与现代微控制器和数字信号处理器直接接口。其额定漏源电压为40V，连续漏极电流可达4.2A（具体值取决于测试条件和热管理），具备良好的热稳定性和可靠性。此外，L4004L3TP符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级认证，适合在消费电子、工业控制和汽车电子等多种环境中使用。由于其优化的RDS(on)和较低的栅极电荷，该器件能够在高频开关条件下实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统能效。
型号：L4004L3TP
类型：N沟道MOSFET
封装：PowerSSO-36 (MiniSO-8)
制造商：STMicroelectronics
漏源电压(VDSS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：4.2A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：16A
导通电阻(RDS(on))：42mΩ @ VGS=10V, ID=2.1A
导通电阻(RDS(on))：50mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.1A
阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
栅极电荷(Qg)：9nC @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：420pF @ VDS=20V
反向恢复时间(trr)：28ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻结到环境(θJA)：60°C/W
热阻结到壳(θJC)：15°C/W
L4004L3TP采用ST的先进沟槽栅技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在高电流应用中的功率损耗。其典型的RDS(on)在VGS=10V时仅为42mΩ，在VGS=4.5V时为50mΩ，这使得它非常适合用于电池供电设备和低电压驱动电路中，能够有效提升能源利用效率。
该器件具有较低的栅极电荷（Qg=9nC），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于降低控制器的负担并减少开关损耗。同时，其输入电容Ciss为420pF，在高频DC-DC变换器中表现出良好的动态响应能力。结合低输出电容和快速的开关速度，L4004L3TP适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率应用。
PowerSSO-36封装不仅体积小巧（典型尺寸约3mm x 3mm），还具备优良的散热性能，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB，进一步增强热稳定性。这种封装形式便于自动化贴片生产，适用于大规模SMT工艺。
该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和稳健的SOA（安全工作区），在瞬态过载或短路情况下仍能保持较高可靠性。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），减少了在同步整流或感性负载切换过程中的反向恢复损耗和电磁干扰问题。
L4004L3TP的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，满足严苛工业和汽车应用的温度要求。同时，器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，可用于车载信息娱乐系统、车身电子模块等对长期稳定性要求较高的场合。
L4004L3TP广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括同步降压型DC-DC转换器，特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元中作为高端或低端开关使用。其低导通电阻和小封装使其成为POL（Point-of-Load）电源设计的理想选择。
在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电路径的通断控制，提供低功耗和高可靠性的开关功能。此外，它也常被用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中，实现精确的启停和方向控制。
在LED照明驱动领域，L4004L3TP可用于恒流源开关调节，支持PWM调光功能，确保灯光亮度稳定且无闪烁。其快速开关特性也有助于提升调光精度和响应速度。
该器件还可作为理想二极管替代方案用于防反接或多电源冗余切换电路中，相比传统肖特基二极管具有更低的压降和更高的效率。同时适用于USB电源开关、热插拔控制器以及各种负载开关应用场景。
由于其符合汽车电子标准，L4004L3TP也被集成于车载摄像头模组、传感器电源、车内照明控制模块等系统中，发挥其高集成度和高耐热的优势。
SI4404DY-T1-GE3
