时间：2025/8/28 17:09:47
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L4004F91 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和良好的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种功率电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
漏源极电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：@4.5V = 0.045Ω, @2.5V = 0.055Ω, @1.8V = 0.075Ω
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
L4004F91 MOSFET 具有多种优良的电气和热性能，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件支持多种栅极驱动电压（1.8V、2.5V 和 4.5V），使其适用于现代低电压控制电路，如 DSP、FPGA 和微控制器。
该 MOSFET 采用先进的封装技术，具备良好的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定工作。其高耐压能力（60V VDS）允许在多种电源拓扑中使用，如同步整流、Buck 和 Boost 转换器。此外，L4004F91 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统响应速度。
在可靠性方面，该器件设计用于高温环境，并具有良好的抗静电（ESD）保护能力。其封装符合 RoHS 标准，适用于无铅制造工艺，满足环保要求。
L4004F91 MOSFET 主要用于中低功率电源管理系统。典型应用包括 DC-DC 转换器、电池充电器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化控制系统。由于其低导通电阻和高效率特性，该器件也常用于笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统的电源调节电路中。
Si4410BDY, FDS6680, AO4406A
