您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > L4004F91

L4004F91 发布时间 时间:2025/8/28 17:09:47 查看 阅读:8

L4004F91 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和良好的热性能,适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种功率电子系统。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):4A
  漏源极电压(VDS):60V
  栅源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):@4.5V = 0.045Ω, @2.5V = 0.055Ω, @1.8V = 0.075Ω
  功率耗散(PD):1.4W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

L4004F91 MOSFET 具有多种优良的电气和热性能,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件支持多种栅极驱动电压(1.8V、2.5V 和 4.5V),使其适用于现代低电压控制电路,如 DSP、FPGA 和微控制器。
  该 MOSFET 采用先进的封装技术,具备良好的热管理能力,能够在高负载条件下保持稳定工作。其高耐压能力(60V VDS)允许在多种电源拓扑中使用,如同步整流、Buck 和 Boost 转换器。此外,L4004F91 还具有快速开关特性,减少了开关损耗,提高了整体系统响应速度。
  在可靠性方面,该器件设计用于高温环境,并具有良好的抗静电(ESD)保护能力。其封装符合 RoHS 标准,适用于无铅制造工艺,满足环保要求。

应用

L4004F91 MOSFET 主要用于中低功率电源管理系统。典型应用包括 DC-DC 转换器、电池充电器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化控制系统。由于其低导通电阻和高效率特性,该器件也常用于笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统的电源调节电路中。

替代型号

Si4410BDY, FDS6680, AO4406A

L4004F91推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

L4004F91资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载