时间：2025/12/26 23:05:02
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L4004D6TP是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及高频开关电路中。该器件采用SOD-123FL超小型封装，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适合对效率和空间要求较高的便携式电子设备。L4004D6TP的额定平均正向整流电流为1A，最大重复峰值反向电压为40V，能够有效减少导通损耗并提升系统整体能效。其封装设计符合RoHS环保标准，并具备良好的散热性能和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线。此外，该二极管在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，工作结温范围可达-55°C至+150°C，使其在消费类电子产品、通信设备、笔记本电脑适配器及LED照明等领域得到广泛应用。由于其优异的开关特性，L4004D6TP常被用于续流、箝位和极性保护等电路拓扑结构中，是现代高效电源系统中的关键元器件之一。
器件类型：肖特基二极管
封装/外壳：SOD-123FL
平均整流电流（Io）：1A
最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
最大直流阻断电压（VR）：40V
最大正向电压降（VF）：0.5V @ 1A, 25°C
最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 40V, 25°C
最大反向恢复时间（trr）：< 5ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：2
产品系列：L40xxD6TP系列
L4004D6TP的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与高速开关能力之间的良好平衡。这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，显著降低了载流子复合带来的能量损失，从而将正向压降控制在典型值0.5V左右（测试条件为1A、25°C），远低于普通硅二极管的0.7V以上水平。这一特性直接减少了功率损耗，提高了电源转换效率，尤其在低压大电流输出的应用场景下效果更为明显。
该器件具备出色的动态响应性能，反向恢复时间小于5纳秒，在高频开关环境中几乎不会产生明显的反向恢复电荷，避免了由此引发的电压尖峰和电磁干扰问题，有助于简化滤波电路设计并提升系统的稳定性。同时，由于没有少子存储效应，肖特基二极管在关断过程中不会出现拖尾电流现象，进一步增强了其在高频DC-DC变换器、同步整流辅助电路和开关电源续流路径中的适用性。
L4004D6TP的SOD-123FL封装体积小巧，外形尺寸约为2.7mm × 1.8mm × 1.1mm，适合高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计趋势。该封装还优化了内部引线连接和热传导路径，提升了散热效率，确保即使在持续负载条件下也能维持较低的工作温度。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，保证在严苛环境下的长期稳定运行。所有材料均符合无铅和RoHS指令要求，支持绿色环保制造流程。
L4004D6TP广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率二极管的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元，用于电池充放电回路的防反接保护或DC-DC升压/降压电路中的续流二极管。在AC-DC适配器和USB充电器中，它常被用作次级侧整流元件，配合主控IC完成高效的低压直流输出。此外，在LED驱动电源中，L4004D6TP可用于防止电流倒灌，保障光源安全稳定工作。
在工业控制领域，该器件适用于PLC模块、传感器供电电路和小型继电器驱动电路中的箝位与保护功能。通信设备如路由器、交换机和基站电源板也大量采用此类肖特基二极管以提升能效等级。由于其快速响应特性，L4004D6TP还可用于高频开关电源中的噪声抑制和瞬态电压吸收电路，帮助改善EMI性能。在汽车电子方面，虽然不属AEC-Q101认证器件，但在非关键性的车载信息娱乐系统或辅助电源模块中仍有使用案例。总之，凡是涉及低电压、高效率、紧凑布局的整流与保护需求，L4004D6TP都是一种经济且可靠的解决方案。
MBR140TP1G
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