L2SC4083PWT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的NPN双极型晶体管(BJT),广泛用于放大和开关应用。该器件采用SOT-23(小外形晶体管)封装,适合表面贴装工艺,适用于多种通用和高性能电子电路设计。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Pd):300 mW
直流电流增益(hFE):110至800(取决于测试条件)
过渡频率(fT):250 MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
L2SC4083PWT1G 具备良好的高频性能,过渡频率(fT)高达250 MHz,使其适用于射频(RF)和高速开关应用。
该晶体管的直流电流增益(hFE)范围宽广,从110到800,提供灵活的设计选项。
采用SOT-23封装,体积小、重量轻,适合高密度PCB布局。
其最大集电极电流为100 mA,集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V,具备一定的电压耐受能力。
该器件的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适合工业级和汽车电子应用中的严苛环境。
此外,L2SC4083PWT1G具有低饱和电压(Vce(sat)),有助于降低功耗,提高能效。
符合RoHS环保标准,无铅封装,适用于现代环保电子产品的制造。
L2SC4083PWT1G 常用于以下应用场景:
作为通用放大器,在音频、射频和模拟电路中实现信号放大功能。
在数字电路中用作开关元件,控制LED、继电器、小型电机等负载。
在电源管理电路中,如DC-DC转换器和稳压器,实现高效的功率控制。
在通信设备中,如无线基站、路由器和调制解调器,用于信号处理和放大。
在汽车电子系统中,例如车载娱乐系统、传感器接口和控制系统,确保稳定可靠的工作性能。
在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器和执行机构的驱动电路。
由于其高频性能,L2SC4083PWT1G也适用于射频前端模块和无线通信模块的设计。
BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222、PN2222