EMH1T2R 时间：2025/11/7 19:34:39 阅读：6

EMH1T2R是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），主要用于高频开关应用和整流电路中。该器件采用SOD-123FL超小型封装，具有低正向电压降、快速恢复时间和高效率的特点，非常适合在便携式电子设备、电源管理单元以及DC-DC转换器中使用。EMH1T2R的命名遵循常见的二极管型号规则，其中“EMH”代表产品系列，“1T”可能表示其电流等级或封装类型，“2R”则通常与特定的电压/电流特性相关联。该器件设计用于在高温环境下稳定工作，并具备良好的热性能和可靠性，符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。由于其紧凑的封装尺寸和优异的电气性能，EMH1T2R广泛应用于智能手机、平板电脑、物联网设备、LED驱动电源以及其他对空间和能效有严格要求的电子产品中。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　配置：单路
　　反向耐压（VRRM）：20 V
　　平均整流电流（IO）：1 A
　　正向压降（VF）：最大580 mV @ 1 A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：15 A
　　反向漏电流（IR）：最大0.1 mA @ 20 V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约250 K/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2

特性

EMH1T2R的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，从而实现比传统PN结二极管更低的正向导通压降。在典型工作条件下，当通过1A电流时，其正向压降仅为580mV左右，显著低于普通硅二极管的0.7V~1.2V范围。这一特性直接带来了更高的转换效率，减少了功率损耗并降低了发热，对于电池供电设备尤为重要。此外，由于没有少子存储效应，肖特基二极管具备极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计（通常小于10ns），因此特别适合用于高频开关电源、续流二极管、防反接保护电路以及高速整流场合。
　　该器件的SOD-123FL封装是一种超薄、小尺寸的表面贴装封装，外形高度低至1.0mm以下，占地面积约为2.6mm x 1.6mm，极大节省了PCB布局空间，满足现代电子产品向轻薄化发展的趋势。同时，该封装具备良好的散热性能，能够有效将芯片产生的热量传导至PCB，提升整体热稳定性。EMH1T2R的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，使其能够在恶劣环境条件下可靠运行，包括工业控制、汽车电子外围电路等应用场景。
　　从可靠性角度看，EMH1T2R通过了严格的生产测试和质量认证，具备高抗静电能力（ESD）、良好的湿度敏感度等级（MSL1），并且支持回流焊工艺。其反向漏电流控制在较低水平，在20V反向电压下最大仅为0.1mA，确保在待机或低功耗模式下的能量损失最小化。尽管肖特基二极管的反向击穿电压相对较低，但20V的额定值已足以覆盖多数低压系统的需求，如USB电源路径管理、3.3V/5V/12V直流电源轨等。综合来看，EMH1T2R是一款高性能、高集成度的功率二极管解决方案，兼顾效率、尺寸与可靠性，是现代高效电源设计中的理想选择之一。

应用

EMH1T2R广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器，作为同步整流的辅助二极管或用于防止电流倒灌；在电源适配器、充电器模块中充当输出整流元件，提升整体转换效率；在电池管理系统中用于充放电路径隔离，避免反向电流损坏电池组；在LED照明驱动电路中作为续流二极管，吸收电感储能释放的能量，防止电压尖峰冲击主控芯片；此外也常用于热插拔电路、电源多路选择开关、反向极性保护电路以及各种嵌入式控制系统中。得益于其小尺寸封装，它也被大量用于空间受限的可穿戴设备、智能家居传感器节点和无线通信模块中。