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L2SC3838QLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 13:51:39 查看 阅读:3

L2SC3838QLT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),采用 SOT-23 封装,适用于高频和低功率应用。该晶体管设计用于放大和开关电路,具有良好的热稳定性和高可靠性。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗:300mW
  频率(fT):100MHz
  增益(hFE):110-800(根据工作条件)
  封装类型:SOT-23

特性

L2SC3838QLT1G 是一款高性能 NPN 晶体管,具备优异的高频响应能力,适用于需要快速开关和信号放大的电路。该器件采用先进的硅外延平面技术制造,具备良好的热稳定性和低饱和压降特性。
  其高频率响应(fT=100MHz)使其非常适合用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路。此外,该晶体管的增益(hFE)范围较宽(110-800),可以根据不同的工作电流进行调整,适用于多种放大和开关应用。
  L2SC3838QLT1G 采用 SOT-23 小型表面贴装封装,节省 PCB 空间,适合高密度电路板设计。该封装还具备良好的散热性能,确保晶体管在较高电流下稳定运行。
  该晶体管的工作温度范围广泛,通常为 -55°C 至 +150°C,适用于工业级和汽车电子应用。同时,该器件符合 RoHS 标准,具有环保和无铅特性。

应用

L2SC3838QLT1G 常用于以下领域:射频(RF)和中频(IF)放大器、开关电路、电压调节器、逻辑电平转换、驱动 LED 和小型继电器等低功率应用。此外,它还广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业控制系统中。

替代型号

2N3904, BC547, 2SC3838

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