IXFH69N20P 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电流、高频率开关应用设计,适用于电源转换、电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化系统等场景。IXFH69N20P 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和出色的热性能,能够在高负载条件下保持稳定工作。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):69A
最大漏源电压(VDS):200V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大 28mΩ(典型值 22mΩ)
功率耗散(PD):300W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247AC
IXFH69N20P 的核心优势在于其优异的导电性能和热稳定性。其低 Rds(on) 值显著降低了导通损耗,提高了整体系统的能效。同时,该器件具备较高的电流承载能力,适用于大功率开关电路。TO-247AC 封装提供了良好的散热性能,支持快速热传导,有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。此外,IXFH69N20P 还具备较高的 dv/dt 耐受能力,能够适应快速开关操作,减少电磁干扰(EMI)问题。
该 MOSFET 内部结构采用了先进的沟槽栅技术,优化了载流子分布,提高了开关速度和效率。其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4.5V 至 20V),可与多种驱动电路兼容,便于设计和集成。此外,该器件具备良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供一定程度的保护,从而提高系统的稳定性。
在实际应用中,IXFH69N20P 还具有较强的抗浪涌能力,能够承受一定的瞬时过电流,适用于负载波动较大的场合。其高温工作能力(最高可达 175°C)也使得该器件适用于高温环境或高热应力应用场景。
IXFH69N20P 被广泛应用于各种高功率电子系统中,包括但不限于:高频开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器(如太阳能逆变器、UPS)、电焊机、工业自动化设备、电池管理系统(BMS)以及电动汽车充电系统等。由于其出色的导通性能和高电流承载能力,该器件特别适合用于需要高效、高可靠性功率开关的场合。此外,在需要并联多个 MOSFET 以提升输出功率的系统中,IXFH69N20P 的低 Rds(on) 和良好的热稳定性也使其成为理想选择。
IXFH69N20P 可以被以下型号替代:IXFH65N20P、IXFH71N20P、IRFP4668、SiHF69N20E、STP69N20F7。选择替代型号时,应确保其电气参数、封装形式和热性能满足具体应用需求,并参考数据手册进行验证。