IXFH69N20P 时间：2025/8/6 7:18:16 阅读：32

IXFH69N20P 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高频率开关应用设计，适用于电源转换、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化系统等场景。IXFH69N20P 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，能够在高负载条件下保持稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：69A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 28mΩ（典型值 22mΩ）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFH69N20P 的核心优势在于其优异的导电性能和热稳定性。其低 Rds(on) 值显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。同时，该器件具备较高的电流承载能力，适用于大功率开关电路。TO-247AC 封装提供了良好的散热性能，支持快速热传导，有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，IXFH69N20P 还具备较高的 dv/dt 耐受能力，能够适应快速开关操作，减少电磁干扰（EMI）问题。
　　该 MOSFET 内部结构采用了先进的沟槽栅技术，优化了载流子分布，提高了开关速度和效率。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），可与多种驱动电路兼容，便于设计和集成。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的保护，从而提高系统的稳定性。
　　在实际应用中，IXFH69N20P 还具有较强的抗浪涌能力，能够承受一定的瞬时过电流，适用于负载波动较大的场合。其高温工作能力（最高可达 175°C）也使得该器件适用于高温环境或高热应力应用场景。

应用

IXFH69N20P 被广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：高频开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器（如太阳能逆变器、UPS）、电焊机、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电系统等。由于其出色的导通性能和高电流承载能力，该器件特别适合用于需要高效、高可靠性功率开关的场合。此外，在需要并联多个 MOSFET 以提升输出功率的系统中，IXFH69N20P 的低 Rds(on) 和良好的热稳定性也使其成为理想选择。