时间：2025/8/13 10:52:30
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L2N7002W1T1G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关和放大电路中。该器件由ON Semiconductor制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适合用于电源管理、负载开关和逻辑驱动应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：115mA（在VGS = 10V）
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（在VGS = 10V）
阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
最大功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
L2N7002W1T1G具有多项优良特性，适用于各种通用和低功率应用。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的高效能，减少功率损耗。该MOSFET的高栅极阈值电压使其在数字电路中具有良好的兼容性，能够直接由逻辑电平驱动。
此外，L2N7002W1T1G采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB设计。其良好的热稳定性和较高的最大工作温度使其适用于在恶劣环境中工作的设备。
该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动器和电源管理模块。此外，其较低的输入电容和输出电容也有助于提高开关速度，降低开关损耗。
L2N7002W1T1G广泛用于各种电子设备中的开关和控制电路。常见的应用包括电源管理电路中的负载开关、电池供电设备中的低功耗控制、LED照明中的驱动电路、以及工业控制系统中的继电器驱动。
它也可用于数字逻辑电路中的信号开关，如微控制器的I/O扩展和逻辑电平转换。此外，该MOSFET还可用于电机驱动、传感器接口和小型电子设备中的低功耗控制电路。
2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N
