时间：2025/9/14 0:17:49
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PSMN1R6-40YLC是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的Trench技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。PSMN1R6-40YLC封装在LFPAK56（Power-SO8）封装中，具有优良的散热能力和高可靠性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等多种应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（Vds）：40V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）@25℃：260A
最大连续漏极电流（Id）@100℃：160A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：1.6mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：2.7mΩ
工作温度范围：-55℃～+175℃
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN1R6-40YLC具有多项卓越特性，包括极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低导通损耗，提高系统效率。
其采用的LFPAK56封装具备优异的热性能和高功率密度，适合高电流应用。
器件设计优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提升整体能效。
此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。
PSMN1R6-40YLC还具有良好的栅极电荷（Qg）特性，支持高频开关操作，适用于高频率电源转换器设计。
其栅极氧化层设计可承受高电压应力，提高了器件的长期稳定性。
该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的开发。
PSMN1R6-40YLC广泛应用于各种高功率密度和高效率的电源管理系统，包括同步整流DC-DC转换器、服务器电源、电信设备电源、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动汽车充电模块以及电机驱动控制系统。
在服务器和通信电源中，该MOSFET可用于高效能的同步整流器，显著降低导通损耗并提高系统效率。
在电池管理系统中，PSMN1R6-40YLC可用于高电流的负载开关和保护电路。
由于其优异的热性能和大电流能力，该器件也非常适合用于高功率密度的电源模块设计。
在电机控制和电动工具应用中，它可作为主开关元件，提供高可靠性和高效能的表现。
PSMN2R0-40YLC, PSMN1R8-40YLC, BSC010N04LS, BSC016N04LS, IPB016N04N3
