时间：2025/5/27 9:58:36
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L2N7002SDW1T1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由安森美（onsemi）制造。该器件采用增强型设计，具有低导通电阻和快速开关特性，专为高频和高效率应用而优化。
其封装形式为 LFPAK88，能够提供卓越的散热性能和紧凑的尺寸，适用于功率转换、DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换以及通信电源等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：900pF
输出电容：200pF
反向恢复时间：无反向恢复
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
L2N7002SDW1T1G 的主要特点是采用了先进的氮化镓技术，使其具备极低的导通电阻和极高的开关速度。此外，该器件还拥有以下优势：
1. 高效功率转换：由于导通电阻低，可显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力：支持高达数兆赫兹的工作频率，适合高频应用。
3. 紧凑设计：LFPAK88 封装有助于减少整体电路板空间占用。
4. 高可靠性：经过严格的测试和验证，能够在极端温度范围内稳定运行。
5. 无反向恢复电荷：消除了与传统硅 MOSFET 相关的反向恢复问题，进一步提高了效率。
这款 GaN HEMT 广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于：
1. 数据中心和电信设备中的高效 DC-DC 转换。
2. 笔记本电脑和移动设备的快充适配器。
3. 工业级电源模块和分布式电源系统。
4. 汽车电子中的辅助电源单元。
5. 高频谐振转换器拓扑，如 LLC 和相移全桥结构。
L2N7002SDW1T1G 的高性能特点使其成为现代功率转换应用的理想选择。
L2N7002NDSW1T1G
