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L2N7002S 发布时间 时间:2025/6/3 23:22:13 查看 阅读:11

L2N7002S是一款高压、低功耗的NMOS功率晶体管,由意法半导体(STMicroelectronics)制造。这款器件采用先进的MDmesh?技术设计,具有极低的导通电阻和优异的开关性能,适合用于多种电力电子应用。该晶体管具有出色的雪崩能力,能够在严苛条件下保持可靠性。此外,其小型化的封装形式使其成为高密度设计的理想选择。

参数

型号:L2N7002S
  类型:NMOS功率晶体管
  最大漏源电压(Vds):700V
  最大连续漏电流(Id):2A
  栅极阈值电压(Vgs(th)):3V至4V
  导通电阻(Rds(on)):约2.9Ω
  总功耗(Ptot):5W
  工作结温范围(Tj):-55℃至175℃
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

L2N7002S采用MDmesh?技术,显著降低了导通电阻,从而提高了效率并减少了功率损耗。
  其700V的漏源电压使得该晶体管适用于高压环境,例如开关电源和电机驱动器。
  该器件具备良好的热稳定性和抗雪崩能力,确保在异常条件下的安全性。
  由于采用了D2PAK封装,L2N7002S非常适合需要高功率密度的应用场景。
  同时,其低栅极电荷特性有助于实现快速开关,减少开关损耗。

应用

L2N7002S广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动与控制电路。
  3. 荧光灯和LED驱动器。
  4. 工业自动化系统中的功率转换模块。
  5. 各种家用电器及消费类电子产品中的功率管理部分。

替代型号

L2N7002F, L2N7002E

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