类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110mA
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻(Rds(on))：5Ω（最大值）
　　封装形式：SOT-23

L2N7002LT1G(702)具有多项优异的电气和物理特性，适用于多种电子应用。首先，其低导通电阻确保了在导通状态下的高效能表现，降低了功耗和热量产生。其次，该MOSFET具备快速开关能力，适合用于高频开关应用，提高了系统的响应速度和效率。此外，L2N7002LT1G的栅极驱动电压范围较宽，支持逻辑电平驱动，便于与数字电路直接连接。该器件还具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适合高密度电路设计。L2N7002LT1G还具有较高的抗静电能力，增强了器件在实际应用中的可靠性。

L2N7002LT1G(702)的多功能性和可靠性使其在多个领域中得到广泛应用。在电源管理方面，它可以用于低功耗开关电源、电池管理系统和电压调节电路。在数字电路中，L2N7002LT1G常用于逻辑电平转换、信号放大和负载开关控制。此外，它还可以用于传感器接口电路、LED驱动电路以及小型电机控制电路。由于其紧凑的封装和优良的电气特性，该MOSFET也广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制系统。在通信设备中，L2N7002LT1G可用于射频开关和信号路由，提供高效的信号处理能力。汽车电子领域中，它可用于车身控制模块、车载娱乐系统和照明控制电路。总的来说，L2N7002LT1G是一款性能优异且应用广泛的MOSFET，适合多种电子设计需求。

2N7002, 2N7002K, BSS138, FDV301N