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FK08N101J502EFG 发布时间 时间:2025/7/1 22:48:40 查看 阅读:6

FK08N101J502EFG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,适合应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够提供良好的散热性能。
  该型号由知名半导体厂商生产,适用于对效率和可靠性要求较高的工业及消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关频率:高达 2MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263 (D2PAK)

特性

FK08N101J502EFG 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))使其在高电流应用场景下具有更高的效率并减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度支持高频操作,减少了磁性元件的体积和系统成本。
  3. 高额定电压确保其能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。
  4. 热稳定性好,能够在极端温度条件下保持可靠性能。
  5. 内置保护功能包括过流保护和热关断功能,从而提高了系统的安全性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  这些特点使 FK08N101J502EFG 成为高效能功率转换和电机驱动的理想选择。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC 转换器和逆变器。
  3. 负载开关和电子保险丝。
  4. 电机驱动和控制电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用。
  由于其出色的性能和可靠性,FK08N101J502EFG 在各种电子设备中得到了广泛应用。

替代型号

IRF840, FQP17N10, STP8NK100Z

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