时间：2025/6/21 20:20:17
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2SK1646-4-TL是一种高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高频功率放大器和射频电路中。该器件采用TO-39封装形式，具有低噪声、高增益和良好的线性度特点。其主要用途包括通信设备、雷达系统以及测试测量仪器等领域的射频功率放大。这种晶体管在音频功率放大器和其他要求高稳定性的电子电路中也有应用。
最大耗散功率：15W
工作温度范围：-55℃至+175℃
漏源电压：80V
栅源电压：±20V
漏极直流电流：0.5A
跨导：3000μS
输入电容：250pF
2SK1646-4-TL具有以下突出特性：
1. 高频性能优异，适用于高达数GHz的射频功率放大。
2. 跨导高，能够提供较大的增益，适合对信号放大幅度有较高要求的应用。
3. 输入电容较低，有利于提高工作频率。
4. 热稳定性好，在高温环境下依然能保持稳定的电气性能。
5. 封装形式坚固耐用，适合恶劣环境下的使用。
6. 具备低噪声特点，适用于精密放大电路。
该晶体管通常用于以下领域：
1. 高频和射频功率放大器的设计与制造。
2. 通信设备中的发射机部分，如基站、卫星通信系统。
3. 雷达系统的功率模块。
4. 测试测量仪器中的信号放大。
5. 音频功率放大器，尤其是在高端音响设备中作为输出级驱动元件。
6. 其他需要高性能功率放大和高稳定性的电子电路设计。
2SK1646-4, 2SK1646
