时间：2025/4/30 11:29:49
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L2N7002KWT1G 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沱道 场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 SOT-23 封装，适合需要高效率和小尺寸的应用场景。
这款 MOSFET 的设计目标是提供卓越的性能，同时降低系统功耗和发热。由于其紧凑的外形和出色的电气性能，L2N7002KWT1G 广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻：0.95Ω（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：3.8nC（典型值）
总电容：25pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
L2N7002KWT1G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于提高效率并减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，非常适合于开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高雪崩击穿能力，能够承受瞬态过压情况下的能量冲击。
4. 采用标准 SOT-23 封装，易于集成到各种 PCB 设计中。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 稳定的工作温度范围，适应恶劣环境下的应用需求。
L2N7002KWT1G 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动器中的功率级元件。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换。
6. 工业自动化设备中的功率控制和保护功能。
7. LED 驱动器中的恒流控制电路。
L2N7002DWY, L2N7002DTR, STN2N7002
