时间：2025/8/13 3:07:31
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L2N7002KLT1G-SOT-23是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23封装。该器件具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于各种中低功率的开关和放大应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：115mA
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：20V
导通电阻：5Ω（最大）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
L2N7002KLT1G-SOT-23具有多项优异的电气特性，包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。其高漏源击穿电压可达60V，适合中高压应用。该MOSFET的开关速度快，适用于高频开关电路。此外，该器件的封装尺寸小巧，适合在空间受限的设计中使用。
该器件的栅极驱动电压范围宽，可在2.5V至10V之间工作，兼容多种驱动电路。其热稳定性良好，在高温环境下仍能保持稳定性能。L2N7002KLT1G-SOT-23的可靠性高，适用于需要长期稳定工作的电子设备。
L2N7002KLT1G-SOT-23广泛应用于电池供电设备、便携式电子产品、电源管理电路、信号开关、逻辑电路驱动器以及各种低功率放大电路。此外，该MOSFET也常用于传感器接口电路、LED驱动电路以及小型电机控制电路。
2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N
