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L2N7002KLT1G-SOT-23 发布时间 时间:2025/8/13 3:07:31 查看 阅读:37

L2N7002KLT1G-SOT-23是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SOT-23封装。该器件具有较高的开关速度和较低的导通电阻,适用于各种中低功率的开关和放大应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:115mA
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:20V
  导通电阻:5Ω(最大)
  功率耗散:300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-23

特性

L2N7002KLT1G-SOT-23具有多项优异的电气特性,包括低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。其高漏源击穿电压可达60V,适合中高压应用。该MOSFET的开关速度快,适用于高频开关电路。此外,该器件的封装尺寸小巧,适合在空间受限的设计中使用。
  该器件的栅极驱动电压范围宽,可在2.5V至10V之间工作,兼容多种驱动电路。其热稳定性良好,在高温环境下仍能保持稳定性能。L2N7002KLT1G-SOT-23的可靠性高,适用于需要长期稳定工作的电子设备。

应用

L2N7002KLT1G-SOT-23广泛应用于电池供电设备、便携式电子产品、电源管理电路、信号开关、逻辑电路驱动器以及各种低功率放大电路。此外,该MOSFET也常用于传感器接口电路、LED驱动电路以及小型电机控制电路。

替代型号

2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N

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