时间：2025/5/12 19:32:18
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L2N7002KDW1T1G 是一款基于硅技术的 N 沯道功率 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。该器件采用 TO-263 封装形式，适用于多种工业和汽车应用领域。其高效率和高可靠性使其成为众多功率转换和电机驱动应用的理想选择。
最大漏源电压：70V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：45mΩ（典型值）
栅极电荷：13nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=25ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
L2N7002KDW1T1G 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗、优化的栅极电荷以实现高效开关操作、增强的热性能以及高度可靠的封装设计。此外，该器件在高温环境下仍能保持出色的稳定性和耐用性。
由于采用了先进的制造工艺，该器件能够有效降低功耗并提升系统效率。同时，它还具有较强的抗静电能力（ESD），可以保护器件免受外界干扰导致的损坏。
这款 MOSFET 还具备出色的雪崩能力，在异常条件下可以提供额外的安全保障。
L2N7002KDW1T1G 广泛应用于各种需要高性能功率开关的场景，如直流无刷电机驱动、电源管理模块、逆变器、LED 驱动电路以及汽车电子控制系统等。
此外，该器件也适合用于负载开关、电池管理单元和 DC-DC 转换器中，能够满足严格的效率和散热要求。
L2N7002KDW1T1GA, FDP5802, IRFZ44N
