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L2N7002K 发布时间 时间:2025/5/7 17:55:17 查看 阅读:27

L2N7002K是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的电流处理能力。
  该器件通常用于电源转换、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率控制的应用场景中。其封装形式为SOT-23,非常适合空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻:0.85Ω
  栅极电荷:15nC
  开关时间:典型值t_on=10ns,典型值t_off=35ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

L2N7002K具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 高可靠性设计,能够在严苛的工作条件下稳定运行。
  5. 支持高电流输出,适用于多种功率电子设备。

应用

L2N7002K广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电池保护电路中的负载开关。
  3. 电机驱动和控制。
  4. 移动设备中的负载切换。
  5. LED驱动器中的功率控制元件。
  6. 各种便携式电子产品的功率管理模块。

替代型号

LNT4002P
  IRLML6344
  FDMT6700
  BSS138

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